最惨（d）多孔d-SiO的HR-TEM图像显示纳米晶Si/非晶SiOx复合结构。

两根导线彼此接触，后被黑夹在两个弹性体薄片之间，通过TENG控制导线的连接和断开。通过改变不同电极的材料、最惨结构或规模，微等离子体引起的发光可应用于不同的领域。

1889年的帕邢定律指出，后被黑TENG的间隙/输出电压必须小于空气击穿电压。最惨压电陶瓷的驱动电压约为几十伏。目前，后被黑不同材料的接触电化效应和详细物理机制仍在研究中。

在两个DEA单元中，最惨一个是目标设备，另一个是辅助设备。将有限元计算和插值方法的结合，后被黑精确模拟了TENG驱动的微滴的运动行为，并计算了微滴的速度。

最惨f）大液滴滑动合并的两个液滴图。

本节介绍了TENG-DEA系统的几个应用，后被黑包括人工肌肉、智能开关、可调谐智能光学调制器和可调光学光栅等。在此选择玻璃作为石墨烯生长衬底，最惨在保证玻璃透明的前提下，赋予传统玻璃优异的导电性和导热性。

后被黑b）Cu-石墨烯-SiO2界面的截面TEM图像。最惨d）石墨烯玻璃基电阻式触摸屏示意图。

后被黑c）熔融玻璃上生长的石墨烯薄膜在转移前后的拉曼光谱。b）在钠钙玻璃上直接生长的垂直石墨烯的SEM图像（远程射频PECVD，最惨550℃，100W，10sccmCH4,1h）。